| 最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage | 20V/-20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage | 12V/-12V |
| 最大漏极电流IdDrain Current | 250mA/350mA |
| 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance | 570mΩ@ VGS = 4.5V, ID = 300mA/ 1450mΩ@ VGS = -4.5V, ID = -200mA |
| 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage | 0.5~1.5V/-0.80~-1.80V |
| 耗散功率PdPower Dissipation | 200mW/0.2W |
| Description & Applications | N/P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING DESCRIPTION The μ PA679TB is a switching device, which can be driven directly by a 2.5 V power source. The μ PA679TB features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and is suitable for applications such as power switch of portable machine and so on. FEATURES • 2.5 V drive available • Low on-state resistance N-ch RDS(on)1 = 0.57 Ω MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 0.30 A) RDS(on)3 = 0.88 Ω MAX. (VGS = 2.5 V, ID = 0.15 A) P-ch RDS(on)1 = 1.45 Ω MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −0.20 A) RDS(on)3 = 2.98 Ω MAX. (VGS = −2.5 V, ID = −0.15 A) • Two MOS FET circuits in same size package as SC-70 |
| 描述与应用 | N/ P沟道MOS场效应晶体管的开关 说明 该的μPA679TB是开关器件，它可以直接由2.5 V电源驱动。 的μPA679TB设有低通态电阻和出色的开关特性，是适合 的应用，如便携机的电源开关等。 特点 •2.5 V驱动器可用 •低通态电阻 N-CH RDS（上）1= 0.57Ω最大。 （VGS=4.5 V，ID=0.30 ） 的RDS（on）= 0.88Ω最大。 （VGS=2.5 V，ID=0.15 A） P-ch的RDS（上）1= 1.45Ω最大。 （VGS= -4.5 V，ID=-0.20 ） 的RDS（on）= 2.98Ω最大。 （VGS= -2.5 V，ID=-0.15 ） •两个MOS FET电路中的SC-70封装尺寸相同 |