集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
20V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
12V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
100MA |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
4.5GHZ |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
70~140 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
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耗散功率Pc
Power Dissipation |
200MW/0.2W |
描述与应用
Description & Applications |
NPN型硅外延双晶体管
2 NE856封装在一个2毫米x 1.25毫米x 0.6毫米包
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