集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
Q1/Q2=5V/9V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
Q1/Q2=3V/5.5V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
Q1/Q2=30MA/100MA |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
Q1/Q2=11GHZ/6.5GHZ |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
Q1/Q2=70~140/100~160 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
Q1/Q2= |
耗散功率Pc
Power Dissipation |
230MW |
描述与应用
Description & Applications |
硅NPN型射频晶体管
两种不同的内置晶体管(2 sc5436 2 sc5600)
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