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商品参数:

  • 型号:UPA851TD-T3-A
  • 厂家:NEC
  • 批号:04NOPB 04+ROHS
  • 整包数量:10000
  • 最小起批量:100
  • 标记/丝印/代码/打字:VH
  • 封装:SOT-763
  • 技术文档:下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)
 Q1/Q2=5V / 15V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)
 Q1/Q2=3V / 5V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)
 Q1/Q2=30M1 / 100MA
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)
 Q1/Q2=12GHZ / 6.5GHZ
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)
 Q1/Q2=70~140 / 100~145
管压降VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
 
耗散功率Pc
Power Dissipation
 210MW
描述与应用
Description & Applications
 硅NPN型射频晶体管
  两种不同的内置晶体管(2 sc5737 2 sc5736)
 
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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UPA851TD-T3-A
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