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  • 型号：UPA854TD
  • 厂家：NEC
  • 批号：05+
  • 整包数量：10000
  • 最小起批量：100
  • 标记/丝印/代码/打字：VL
  • 封装：SOT-763
  • 技术文档：下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		  Q1/Q2=9V / 15V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		  Q1/Q2=6V / 5.5V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		  Q1/Q2=30MA / 100MA
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		  Q1/Q2=12GHZ / 5.5GHZ
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		  Q1/Q2=75~150/100~145
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage		  
耗散功率Pc
Power Dissipation		  210MW
描述与应用
Description & Applications		  　硅NPN型射频晶体管
　　两种不同的内置晶体管(2 sc5435 2 sc5745)
 
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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UPA854TD
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