集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
Q1/Q2=9V / 9V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
Q1/Q2=6V / 5.5V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
Q1/Q2=30MA / 100MA |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
Q1/Q2=12GHZ / 6.5GHZ |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
Q1/Q2=75~150 / 100~145 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
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耗散功率Pc
Power Dissipation |
210MW |
描述与应用
Description & Applications |
硅NPN型射频晶体管
低电压、低电流操作
两种不同的死亡类型:
Q1 -理想的缓冲放大器晶体管
Q2 -理想晶体管振荡器
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