| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 60V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 50V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 2A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 210MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 260 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 100mV/0.1V |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 500mW/0.5W |
| Description & Applications | •LOW FREQUENCY TRANSISTOR (50V,2A) *Low Saturation Voltage, Typically VCE(SAT)=0.1V at IC / IB=1A / 50mA *Excellent DC Current Gain Characteristics |
| 描述与应用 | •低频晶体管（50V，2A） *低饱和电压，通常VCE（SAT）= 0.1V IC / IB=1A /50毫安的 *优秀的DC电流增益特性 |