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  • 型号：VSS849TR
  • 厂家：JAT
  • 批号：05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：49R
  • 封装：SOT-143
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage16V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage
最大漏极电流Id Drain Current30mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage8-12V
耗散功率Pd Power Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsFeatures Integrated gate protection diodes Low noise figure High gain Biasing network on chip Improved cross modulation at gain reduction High AGC-range SMD package
描述与应用综合栅极保护二极管 低噪声系数 高增益 偏置片上网络 改进的交叉调制增益降低 高AGC范围 SMD封装
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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VSS849TR
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