集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-50V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-50V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-100MA |
| 基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) |
10KΩ |
| 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) |
47KΩ |
基极与基极-发射极输入电阻比(R1/R2)
Base-Emitter Input Resistance Ratio(R1/R2) |
0.21 |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
80 |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
80MHZ |
耗散功率Pc
Power Dissipation |
150MW/0.15W |
描述与应用
Description & Applications |
硅PNP型外延刨床晶体管
开关/数字电路
■特性
●两个元素纳入一个包。
(晶体管内置电阻)
●减少一半的安装面积和组装成本。
●UN1114×2元素
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