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  • 型号：RTF015N03
  • 厂家：rohm
  • 批号：05+ 05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：PP
  • 封装：SOT-323/SC-70/UMT3
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流Id Drain Current1.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.24Ω/Ohm @1.5A,4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.5-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation800mW/0.8W
Description & ApplicationsSwitching (30V, 2.5A) Silicon N-channel MOS FET Low on-resistance. Built-in G-S Protection Diode. Small and Surface Mount Package (TSMT3) .
描述与应用开关（30V，2.5A） 硅N沟道MOS FET 低导通电阻。 内置G-S的保护二极管 小和表面贴装封装
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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RTF015N03
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