请先登录
首页
购物车0
库存1000件10起订
购买数量
商品参数
相关型号

×

商品参数：

  • 型号：2SK2218-5
  • 厂家：SANYO
  • 批号：05+
  • 整包数量：1000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：KN
  • 封装：SOT-89
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage15v
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage -15v
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current57~75ma
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage -0.2~2.5v
耗散功率PdPower Dissipation400mW/0.4W
Description & Applications•N-Channel Junction Silicon FET •High-Frequency Low-Noise Amplifier •Adoption of FBET process. •Amateur radio equipment. •UHF amplifiers, MIX, OSC, analog switches.
描述与应用•N沟道结硅FET •高频低噪声放大器 •通过过程FBET。 •业余无线电装备。 •UHF放大器，MIX，OSC，模拟开关。
规格书PDF 下载

×

在线询价：

* 来自：
寄予：
深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
2SK2218-5
*主题：
详细内容：
*验证码：