| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 180V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 30V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 4A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 0.08Ω/Ohm @10A,10V |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 2-4V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 70W |
| Description & Applications | Small switching (60V, 2A) Silicon N-channel MOSFET Features N-Channel Enhancement type Input capacitance(Ciss) is small. Especially,input capacitance at 0 biass is small. The static Rds(on) is small The switching time is fast |
| 描述与应用 | 小开关（60V，2A） 硅N沟道MOSFET 特性 N沟道增强型 输入电容（CISS）是很小的。 特别，输入电容在0 预偏电阻很小。 静态的Rds（on）很小 开关时间快 |