| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 20V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 500mA/0.5A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 0.455Ω/Ohm @250mA,10V |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 1.3-2.3V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 400mW/0.4W |
| Description & Applications | Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching Features Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching Low on-resistance RDS= 0.455 Ω typ (VGS=10V , ID = 250 mA) RDS=0.9 Ω typ(VGS= 4 V , ID = 100 mA) 4 V gate drive device Small package (MPAK) |
| 描述与应用 | 硅N沟道MOS FET 高速开关 特性 硅N沟道MOS FET 高速开关 低导通电阻 RDS=0.455Ω（典型值）（VGS= 10V，ID=250毫安） RDS=0.9Ω（典型值）（VGS=4 V，ID= 100毫安） 4 V栅极驱动装置 小型封装（MPAK） |