SI1900DL-T1-E3 复合场效应管 30V 590mA/0.59A SOT-363/SC70-6 marking/标记 PBS|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

SI1900DL-T1-E3 复合场效应管 30V 590mA/0.59A SOT-363/SC70-6 marking/标记 PBS

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型号：SI1900DL-T1-E3
厂家：VISHAY
批号：06NOPB 06+PB
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：PBS
封装：SOT-363/SC70-6
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最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage	30V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage	20V
最大漏极电流IdDrain Current	590mA/0.59A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance	700mΩ@ VGS =4.5V, ID =200mA
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage	1V
耗散功率PdPower Dissipation	270mW/0.27W
Description & Applications	Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
描述与应用	双N沟道30-V（D-S）的MOSFET

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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