SI1900DL-T1-E3 复合场效应管 30V 590mA/0.59A SOT-363/SC70-6 marking/标记 PBS|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

SI1900DL-T1-E3 复合场效应管 30V 590mA/0.59A SOT-363/SC70-6 marking/标记 PBS

库存0件10起订

购买数量

商品参数

相关型号

商品参数：

型号：SI1900DL-T1-E3
厂家：VISHAY
批号：06NOPB 06+PB
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：PBS
封装：SOT-363/SC70-6
技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage	30V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage	20V
最大漏极电流IdDrain Current	590mA/0.59A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance	700mΩ@ VGS =4.5V, ID =200mA
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage	1V
耗散功率PdPower Dissipation	270mW/0.27W
Description & Applications	Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
描述与应用	双N沟道30-V（D-S）的MOSFET

规格书PDF

下载

商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
BSL211SP P沟道场效应管 -20V -4.7A SOT163 MARKING PB 增强模式 OptiMOS-P小信号晶体管	BSL211SP 标记：PB 封装：SOT-163	INFINEON	批号：06NOPB2200	5500 10起订
U1Z30 稳压二极管 DO-214AA/SMB30v marking/标记 30	U1Z30 标记：30 封装：DO-214AA/SMB30v	TOSHIBA	批号：05+	400 10起订
SG-210SDD SMD 2520普通晶体振荡器（可按参数要求定制）	SG-210SDD 标记：封装：2520	爱瑞凯	批号：	2000 起订
快速熔断保险管 R45103.5 3.5A 125V 1808-3.5A	R45103.5 标记：3.5A 封装：1808-3.5A	LITTELFUSE	批号：05+8RNOPB(盒) 05+ROHS6500+8KM	21100 10起订
JDV2S22S 变容二极管 10V 3.24pF-3.62pF 1.72-1.92 SOD-723/SESC marking/标记 G 超高频调谐/高电容率/低串联电阻	JDV2S22S 标记：G 封装：SOD-723/SESC	TOSHIBA	批号：05+	500 10起订
磁珠 CFC31D601NE 1206-601	CFC31D601NE 标记：封装：1206-601	MARUWA	批号：05+	9000 10起订
快速熔断保险管 04331.25NR 1.25A 63V 1206-1.25A	04331.25NR 标记：J 封装：1206-1.25A	LITTELFUSE	批号：05+ 05+	0 10起订
RB051M-2Y 肖特基二极管 20V 3A 460mV/0.46V SOD-123/1206 marking/标记 84	RB051M-2Y 标记：84 封装：SOD-123/1206	ROHM	批号：06+PB	0 10起订

在线询价：

* 来自：

寄予：: 深圳市爱瑞凯电子科技有限公司

商品：: SI1900DL-T1-E3

*主题：

详细内容：

*验证码：