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商品参数:

  • 型号:KTC812T-B
  • 厂家:KEC
  • 批号:06+NOPB
  • 整包数量:3000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:MB
  • 封装:SOT-163/TS6
  • 技术文档:下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)
 50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)
 20V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)
 300MA/0.3A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)
 30MHZ
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)
 350~1200
管压降VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
 0.3V
耗散功率Pc
Power Dissipation
 0.9W
描述与应用
Description & Applications
  静音和切换应用程序。
  特性
  高发射极基极电压:VEBO = 25 v(Min)。
  高反向hFE
  :反向hFE = 150(Typ。)(VCE = 2 v,IC马= 4)
  低导通电阻:RON= 1(Typ。)(IB马= 5)
 
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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KTC812T-B
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