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商品参数:

  • 型号:KRX210E
  • 厂家:KEC
  • 批号:05+NOPB
  • 整包数量:4000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:MN
  • 封装:SOT-563/TES6
  • 技术文档:下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)50V/-50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)50V/-50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)100mA/-100mA
Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)1KΩ/Ohm
Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)10KΩ/Ohm
Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio0.1
Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)10KΩ/Ohm
Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)10KΩ/Ohm
Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio1
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)
截止频率fT Transtion Frequency(fT)200MHz
耗散功率Pc Power Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsFeatures •EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR •INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. •Including two devices in TES6. •With Built-in Bias Resistors. •Simplify Circuit Design. •Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.
描述与应用特点 •外延平面PNP晶体管 •接口电路和驱动器电路中的应用 •在TES6包括两个设备 •内置偏置电阻器 •简化电路设计 •减少了部件数量和制造工艺
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品:
KRX210E
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