SI2307BDS P沟道MOS场效应管 0.061ohm SOT-23 marking/标记 L7 P沟道垂直DMOS|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

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SI2307BDS P沟道MOS场效应管 0.061ohm SOT-23 marking/标记 L7 P沟道垂直DMOS

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型号：SI2307BDS
厂家：VISHAY
批号：06+NOPB 06+NOPB
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：L7
封装：SOT-23/SC-59
技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage
最大漏极电流IdDrain Current
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance	0.061Ω @-3.2A,-10V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage	2.1V
耗散功率PdPower Dissipation	1.25W
Description & Applications	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET P-Channel Vertical DMOS Macro Model (Subcircuit Model) Level 3 MOS
描述与应用	P沟道30-V（D-S）的MOSFET P沟道垂直DMOS 宏模型（子电路模型）级别3 MOS

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
2SK217 N沟道结型场效应管 30v 6~12mA SOT-23 marking/标记 ZE VHF放大	2SK217 标记：ZE 封装：SOT-23/SC-59/MPAK	HITACHI	批号：05+	0 10起订
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集成电路IC 与非门 TC7SL00FU SOT-353/USV marking/标记 L1	TC7SL00FU 标记：L1 封装：SOT-353/USV	TOSHIBA	批号：1136+ROHS 05+	0 10起订
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