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  • 型号：SI1021R-T1-GE3
  • 厂家：VISHAY
  • 批号：10nopb
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：FWA
  • 封装：SOT-523/SC-75A/SC-89
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-60V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current-190mA/-0.19A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance4Ω @-500mA,-10V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-1--3V
耗散功率PdPower Dissipation250mW/0.25W
Description & ApplicationsFEATURES • Halogen-free Option Available • TrenchFET Power MOSFETs • High-Side Switching • Low On-Resistance: 4 Ω • Low Threshold: - 2 V (typ.) • Fast Switching Speed: 20 ns (typ.) • Low Input Capacitance: 20 pF (typ.) • Miniature Package • ESD Protected: 2000 V
描述与应用 •无卤股权 •的TrenchFET 功率MOSFET •高边开关 •低导通电阻：4Ω •低阈值： - 2 V（典型值） •开关速度快：20 ns（典型值） •低输入电容20 PF（典型值） •微型包装 •ESD保护：2000 V
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
SI1021R-T1-GE3
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