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  • 型号：SI3911DV-T3-E3
  • 厂家：VISHAY
  • 批号：06+10Knopb 06+NOPB370KM
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：11
  • 封装：SOT-163/SOT23-6/TSOP-6
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage-8V
最大漏极电流IdDrain Current-1.8A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance300mΩ@ VGS = -1.8V, ID = -1A
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-0.45V
耗散功率PdPower Dissipation830mW/0.83W
Description & ApplicationsDual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
描述与应用双P沟道20-V（D-S）的MOSFET
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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SI3911DV-T3-E3
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