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  • 型号:2SK23800R
  • 厂家:Panasonic
  • 批号:05+
  • 整包数量:3000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:EBR
  • 封装:SOT-523
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最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage
最大漏极电流Id Drain Current
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage
耗散功率Pd Power Dissipation
Description & ApplicationsSilicon N-Channel Junction FET For impedance conversion in low frequency For infrared sensor Features Silicon N-Channel Junction FET For impedance conversion in low frequency For infrared sensor Low gate to source leakage current, IGSS Small capacitance of Ciss, Coss, Crss SS-mini type package, allowing downsizing of the sets and automatic insertion through the tape/magazine packing
描述与应用特性 硅N沟道结型场效应管 在低频率的阻抗变换 红外传感器 低栅极,源漏电流,IGSS 小电容Coss,Ciss,Crss SS-迷你型包装,使瘦身套和通过自动插入磁带/盒包装
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2SK23800R
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