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  • 型号:AAT7157IAS-T1
  • 厂家:ANALOGIC
  • 批号:06+
  • 整包数量:2500
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:GA
  • 封装:SOIC8/SOP8
  • 技术文档:下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流IdDrain Current-5.8A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance49Ω@ VGS=-2.5V, ID=-4.4A
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-0.6V
耗散功率PdPower Dissipation2W
Description & ApplicationsP-Channel Power MOSFET General Description The AAT7157 low threshold 20V, dual P-Channel MOSFET is a member of AnalogicTech's TrenchDMOS product family. Using an ultra-high density proprietary TrenchDMOS technology the AAT7157 is designed for use as a load switch in battery powered applications and protection in battery packs. Applications • Battery Packs • Battery-powered portable equipment
描述与应用P沟道功率MOSFET 概述 AAT7157低阈值20V,是双P沟道MOSFET AnalogicTech的TrenchDMOS产品系列的成员。使用一个超高密度的专有TrenchDMOS技术AAT7157是专为使用作为负载开关 在电池组中电池供电的应用和保护。 应用 •电池组 •电池供电的便携式设备
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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AAT7157IAS-T1
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