集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-50V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-45V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-100MA/-0.1A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
100MHZ |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
200~450 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
-0.4V |
耗散功率Pc
Power Dissipation |
300MW/0.3W |
描述与应用
Description & Applications |
PNP型通用双晶体管
特性
低收集器电容
低饱和电压
密切匹配的电流增益
减少数量的组件和boardspace
没有晶体管之间的相互干扰。
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