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商品参数:

  • 型号:MJD210-TF
  • 厂家:SAMSUNG
  • 批号:05+
  • 整包数量:2000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:MJD210
  • 封装:TO-252/DPAK
  • 技术文档:下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)-40V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)−25V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) -5A
截止频率fTTranstion Frequency(fT)65MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)45~180
管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage-750mV/-0.75V
耗散功率PcPoWer Dissipation1.4W
Description & ApplicationsPNP epitaxial planar transistor D-PAK for Surface Mount Applications • High DC Current Gain Feature • Low Collector Emitter Saturation Voltage • Lead Formed for Surface Mount Applications • Straight Lead
描述与应用PNP外延平面晶体管 D-PAK表面贴装应用 •高直流电流增益 特点 •低集电极发射极饱和电压 •铅形成表面贴装应用 •直铅
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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MJD210-TF
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