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  • 型号：PMV40UN
  • 厂家：NXP/PHILIPS
  • 批号：09NOPB 09+ROHS
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：W35
  • 封装：SOT-23/SC-59
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流Id Drain Current4.9A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage
耗散功率Pd Power Dissipation19.6W
Description & ApplicationsTrenchMOS™ ultra low level FET Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology Ultra low level threshold Surface mount package.
描述与应用TrenchMOS™超低水平FET 描述 N沟道增强型场效应晶体管在一个塑料包装用 的TrenchMOS™技术 超低水平阈值 表面贴装封装
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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PMV40UN
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