2SK1920 N沟道MOSFET 250V 4A TO-252/TP-FA marking/标记 K1920 高速功率/低导通电阻/高速开关/低驱动电流|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

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2SK1920 N沟道MOSFET 250V 4A TO-252/TP-FA marking/标记 K1920 高速功率/低导通电阻/高速开关/低驱动电流

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型号：2SK1920
厂家：SANYO
批号：06NOPB
整包数量：700
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：K1920
封装：TO-252/TP-FA
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最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	250V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	30V
最大漏极电流Id Drain Current	4A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance	500Ω/Ohm @2A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	1.5-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation	1W
Description & Applications	N-Channel mos silicon FET Very HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features N-Channel MOS silicon FET Very high-speed switching application Low ON resistance Very high-speed switching Low-voltage drive
描述与应用	N沟道硅MOS FET 非常高速开关应用特性 N沟道硅MOS FET 非常高速开关应用低导通电阻非常高的速度开关低电压驱动

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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