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  • 型号：SI2333DS-T1
  • 厂家：VISHAY
  • 批号：08NOPB 08NOPB
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：E3
  • 封装：SOT-23/SC-59
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流IdDrain Current-4.7A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.031Ω @-4.7A,-4.5V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-0.4V-1.0V
耗散功率PdPower Dissipation1.25W
Description & ApplicationsFEATURES TrenchFET Power MOSFET
描述与应用功率MOSFET
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
SI2333DS-T1
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