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  • 型号：SI1012R
  • 厂家：VISHAY
  • 批号：07NOPB 05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：C
  • 封装：SOT-523/SC-75A
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage6V
最大漏极电流Id Drain Current600mA/0.6A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.70Ω/Ohm @500mA,4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.45-0.9V
耗散功率Pd Power Dissipation150mW/0.15W
Description & ApplicationsN-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET FEATURES •Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition •TrenchFET Power MOSFET: 1.8 V Rated • Gate-Source ESD Protected: 2000V • High-Side Switching • Low On-Resistance: 0.7  • Low Threshold: 0.8 V (typ.) • Fast Switching Speed: 10 ns • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
描述与应用 N沟道1.8 V（G-S）的MOSFET 功率MOSFET：1.8 V额定 •门源ESD保护：2000 V •高边开关 •低导通电阻：0.7 •低阈值：0.8 V（典型值） •开关速度快：10 ns的 •符合RoHS指令2002/95/EC
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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SI1012R
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