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  • 型号：2SK210-BL
  • 厂家：TOSHIBA
  • 批号：12+ROHS 05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：YL
  • 封装：SOT-23/SC-59
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage18v
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage -18v
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current12~24ma
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage -1.2~-3v
耗散功率PdPower Dissipation100mW/0.1W
Description & Applications•Silicon N-Channel Junction FET High Power Gain :Gps=24dB(Typ.) (f=100MHz) Low Noise Figure :NF = 1.8dB(Typ.) (f=100MHz) High Forward Transfer Admitance : |Yfs|: |Yfs| = 7 mS (typ.) (f=1kHz)
描述与应用•硅N沟道结型场效应管 高功率增益：GPS =24分贝（典型值）（F =100MHz时） 低噪声系数：NF=1.8分贝（典型值）（F =100MHz时）
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2SK210-BL
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