| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) |
50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) |
100mA |
| Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) |
10KΩ |
| Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) |
47KΩ |
| Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio |
0.21 |
| Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) |
10KΩ |
| Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) |
47KΩ |
| Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio |
0.21 |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) |
100 |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) |
|
| 耗散功率Pc Power Dissipation |
0.3W |
| 描述与应用 |
特点 •NPN电阻配备双晶体管 •晶体管内置偏置电阻（R1典型值10kΩ和R2典型值47kΩ的。） •晶体管之间没有相互干扰 •简化电路设计 •减少元件数量和电路板空间。 应用 •特别适用于空间减少接口和驱动电路 •逆变器电路配置，而无需使用外部电阻器。 |