| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 60V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-EmitterVoltage(VCEO) | 45V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 1A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 200MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 2000 @ 10V,0.5A |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | 1.3V |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 1.25W |
| Description & Applications | • High current (max. 1 A) • Low voltage (max. 80 V) • Integrated diode and resistor. • Industrial high gain amplification. • NPN Darlington transistor in a SOT223 plastic package. • PNP complements: BSP60. |
| 描述与应用 | •高电流（最大1 A） •低电压（最大80 V） •集成的二极管和电阻。 •工业高增益放大。 •NPN达林顿晶体管在SOT223塑料包装。 •PNP补充：BSP60。 |