| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 15V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 8V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 30mA |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | -1.5-1/-1-1 |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 150mW/0.15W |
| Description & Applications | TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON A CHANNEL DUAL GATE MOS TYPE Features Silicon N-Channel MOS FET TV TUNER,VHF RF AMPLIFIER APPLICATIONS TV TUNER VHF MIXER APPLICATIONS Superior cross modulation performance Low reverse transfer capacitance Low noise figure |
| 描述与应用 | 东芝场效应晶体管的硅频道双栅MOS型 特性 硅N沟道MOS FET 电视调谐器，甚高频射频放大器应用 电视调谐器甚高频混频器应用 高级交叉调制性能 低反向传输电容 低噪声系数 |