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商品参数:

  • 型号:PMBT5551
  • 厂家:NXP/PHILIPS
  • 批号:05+
  • 整包数量:3000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:pG1
  • 封装:SOT-23/SC-59
  • 技术文档:下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)180V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)160V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)300mA/0.3A
截止频率fTTranstion Frequency(fT)300MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)250
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage150mV~200mV
耗散功率PcPower Dissipation250mW/0.25W
Description & ApplicationsNPN high-voltage transistor FEATURES • Low current (max. 300 mA) • High voltage (max. 160 V). APPLICATIONS • General purpose • Telephony. DESCRIPTION NPN high-voltage transistor in a SOT23 plastic package.
描述与应用NPN高电压晶体管 特点 •低电流(最大300毫安) •高电压(最大160 V)。 应用 •通用 •电话。 说明 NPN高压晶体管在SOT23塑料包装。
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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PMBT5551
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