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  • 型号：2SK662
  • 厂家：Panasonic
  • 批号：05+ 05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：10R
  • 封装：SOT-323/SC70
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage30v
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage -30v
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current4~12ma
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage -0.1~-1.5v
耗散功率PdPower Dissipation150mW/0.15W
Description & Applications•Silicon N-Channel Junction FET •For low-frequency amplification •High mutual conductance gm •Low noise type
描述与应用•硅N沟道结型场效应管 •对于低频放大 •高互导GM •低噪音型
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2SK662
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