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  • 型号：2SJ133-Z-E1
  • 厂家：NEC
  • 批号：05+ 05+NOPB2KM
  • 整包数量：2000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：J133
  • 封装：TO-252/DPAK
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-60V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current-2A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.45Ω -1A,-10V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-1.0--3.0V
耗散功率PdPower Dissipation20W
Description & ApplicationsMOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR P-CHANNEL POWER MOSFET FOR SWITCHING Gate drive available at logic level (VGS = −4 V) High current control available in small dimension due to low RDS(on) (≅ 0.45 Ω) 2SJ133-Z is a lead process product and is ideal for mounting a hybrid IC
描述与应用MOS场效应功率晶体管 P沟道功率MOSFET 用于开关 栅极驱动逻辑电平（VGS=-4 V） 高电流控制由于在小尺寸，低RDS（on）（≅0.45Ω） 2SJ133-Z是一款铅工艺产品，非常适合安装一个混合IC
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2SJ133-Z-E1
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