| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | -50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | −50V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | −150mA/-0.15A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 80MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 200~400 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | -300mV/-0.3V |
| 耗散功率PcPoWer Dissipation | 200mW/0.2W |
| Description & Applications | PNP Silicon Transistor Description • General small signal amplifier Features • Low collector saturation voltage : VCE(sat)=-0.3V(Max.) • Low output capacitance : Cob=4pF(Typ.) • Complementary pair with 2SC5343SF |
| 描述与应用 | PNP硅晶体管 描述 •一般的小信号放大器 特点 •低集电极饱和电压VCE（sat）=-0.3V（最大） •低输出电容：COB=4PF（平均值） •2SC5343SF互补配对 |