HAT2204C n沟道场效应管 12V 3.5A SOT363 代码 VU 低导通电阻低驱动电流|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

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HAT2204C n沟道场效应管 12V 3.5A SOT363 代码 VU 低导通电阻低驱动电流

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商品参数：

型号：HAT2204C
厂家：RENESAS
批号：09+NOPB
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：VU
封装：SOT-363
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最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	12V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	8V
最大漏极电流Id Drain Current	3.5A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State	RDS(on) = 26m Ω typ.(at VGS = 4.5 V)
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage
耗散功率Pd Power dissipation	900MW
描述与应用 Description & Applications	硅N通道金属氧化物半导体场效应晶体管　　电源转换装置　　低导通电阻　　RDS()= 26mΩ typ。(Vgs = 4.5 V) 　　低驱动电流　　高密度安装　　1.8 V门驱动装置

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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