MGF4954A MESFET-N沟道 -3V 15mA-60mA -0.1V -- -1.5V 2520 marking/标记 B2 高频应用/低噪声|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

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MGF4954A MESFET-N沟道 -3V 15mA-60mA -0.1V -- -1.5V 2520 marking/标记 B2 高频应用/低噪声

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型号：MGF4954A
厂家：MITSUBISHI
批号：05+ 05+
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：B2
封装：2520
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最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage	-3V
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage	-4V
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current	15mA-60mA
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage	-0.1V -- -1.5V
耗散功率PdPower Dissipation	50mW
Description & Applications	Super low noise GaAs HEMT C to K band low noise amplifiers and oscillators Low noise figure High associated gain
描述与应用	超低噪音砷化镓 HEMT C到K波段低噪声放大器和振荡器低噪声系数高相关增益

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
功率电感 LQH55DN222M03L 2200uH 5650-222	LQH55DN222M03L 标记：封装：5650-222	MURATA	批号：05+NOPB	10 10起订
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