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  • 型号：MP6K61FU7
  • 厂家：ROHM
  • 批号：09+NOPB 09+NOPB
  • 整包数量：1000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：MP6K61
  • 封装：MPT6
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current5A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance77mΩ@ VGS =4V, ID =5A
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage1~2.5V
耗散功率PdPower Dissipation2W
Description & Applications4V Drive Nch+Nch MOSFET Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. Application Switching
描述与应用4V驱动N沟道+ N沟道MOSFET 特点 1）低导通电阻。 2）内置G-S的保护二极管。 应用 交换
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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MP6K61FU7
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