| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 300V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 300V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 500mA/0.5A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 50Mhz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 40 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 500mV/0.5V |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 225mW/0.225W |
| Description & Applications | High Voltage Transistors NPN Silicon Pb−Free Package May be Available. The G−Suffix Denotes a Pb−Free Lead Finish |
| 描述与应用 | 高电压晶体管 NPN硅 可能提供无铅封装。 G-后缀表示 无铅牵头完成 |