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  • 型号：2SK663-R
  • 厂家：Panasonic
  • 批号：05+ 05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：2BR
  • 封装：SOT-323/SC70
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage55v
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage -55v
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current5~12ma
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage -5v
耗散功率PdPower Dissipation150mW/0.15W
Description & Applications•Silicon N-Channel Junction FET •For low-frequency amplification •For switching •Low noise-figure (NF) •High gate to drain voltage VGDO Features lLow noise-figure (NF) lHigh gate to drain voltage VGDO lS-mini type package, allowing downsizing of the sets and automatic insertion through the tape/magazine packing
描述与应用•硅N沟道结型场效应管 •对于低频放大 •对于开关 •低噪声系数（NF） •高门漏极电压VGDO的 特点 LLOW噪声系数（NF） lHigh栅漏电压VGDO LS-迷你型包装，通过自动插入磁带/盒包装
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
2SK663-R
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