2SK1195 N沟道MOSFET 230V 1.5A TO-252/D-PAK marking/标记 K1195 适用于4V驱动/静态的Rds（on）是小/内置ZD门保护|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

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2SK1195 N沟道MOSFET 230V 1.5A TO-252/D-PAK marking/标记 K1195 适用于4V驱动/静态的Rds（on）是小/内置ZD门保护

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型号：2SK1195
厂家：shindengen
批号：07NOPB
整包数量：1500
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：K1195
封装：TO-252/D-PAK
技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	230V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	20V
最大漏极电流Id Drain Current	1.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance	1.2Ω/Ohm @1.5A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	2-4V
耗散功率Pd Power Dissipation	10W
Description & Applications	N-Channel Enhancement type Features N-Channel Enhancement type Applicable to 4V drive The static Rds(on) is small Built-in ZD for Gate Protection
描述与应用	N沟道增强型特性 N沟道增强型适用于4V驱动静态的Rds（on）是小内置ZD门保护

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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