| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | -60V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | −40V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | −200mA/-0.2A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 250MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 100~300 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | -400mV/-0.4V |
| 耗散功率PcPoWer Dissipation | 150mW/0.15W |
| Description & Applications | FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE(mini type) FEATURE Excellent linearity of DC forward gain. Super mini package for easy mounting Small collector to emitter saturation voltage. APPLICATION For Hybrid IC,small type machine low frequency voltage Amplify application. |
| 描述与应用 | 对于低频放大应用 硅PNP外延型（迷你型）， 特写 直流前锋出色的线性度获得。 超小型封装，便于安装 小集电极到发射极饱和电压。 应用 对于混合集成电路，小型机低频电压放大应用。 |