首页
购物车0
库存0件10起订
购买数量
商品参数
相关型号

×

商品参数:

  • 型号:RHP020N06
  • 厂家:ROHM
  • 批号:0706NOPB
  • 整包数量:1000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:LR
  • 封装:SOT-89/SC-62/MPT3
  • 技术文档:下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60v
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20v
最大漏极电流Id Drain Current2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.2Ω/Ohm @20A,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage1.0-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation500mW/0.5W
Description & Applications4V Drive Nch MOS FET Silicon N-channel MOS FET Low On-resistance. High speed switching. Wide SOA.
描述与应用4V驱动N沟道MOS FET 硅N沟道MOS FET 低导通电阻。 高速开关。 宽SOA
规格书PDF 下载

×

在线询价:

* 来自:
寄予:
深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品:
RHP020N06
*主题:
详细内容:
*验证码: