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  • 型号:2SB1386
  • 厂家:SECOS
  • 批号:08NOPB
  • 整包数量:1000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:BHR
  • 封装:SOT-89/SC-62
  • 技术文档:下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)-30V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)−20V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) -5A
截止频率fTTranstion Frequency(fT) 120MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)180~390
管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage-1000mV/-1V
耗散功率PcPoWer Dissipation500mW/0.5W
Description & ApplicationsPNP Silicon epitaxial planar transistor Low Frequency Transistor Feature 1) Low VCE(sat). 2) Excellent DC current gain characteristics. 3) Complements the 2SD2098
描述与应用PNP硅外延平面晶体管 低频晶体管 特点 1)低VCE(sat)的。 2)优秀DC电流增益特性。 3)补充2SD2098
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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