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商品参数:

  • 型号:MMBF170-7
  • 厂家:DIODES
  • 批号:05+ 05+
  • 整包数量:3000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:K6Z
  • 封装:SOT-23/SC-59
  • 技术文档:下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current500mA/0.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.05Ω/Ohm @200mA,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage0.8-3.0V
耗散功率Pd Power Dissipation300mW/0.3W
Description & ApplicationsPower MOSFET 500 mA, 60 V N−Channel SOT−23 Features High density cell design for low RDS(ON) .Voltage controlled small signal switch. Rugged and reliable. High saturation current capability.
描述与应用功率MOSFET 500毫安,60 V N沟道SOT-23 高密度电池设计的低RDS(ON) 电压控制小信号开关 坚固,可靠。 高饱和电流能力
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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MMBF170-7
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