| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 40V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 75V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 600mA/0.6A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 300Mhz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 30~300 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.3V~1V |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 300mW/0.3W |
| Description & Applications | FEATURES • NPN switching transistor • High current (max. 600 mA) • Low voltage (max. 40 V). APPLICATIONS • Switching and linear amplification. |
| 描述与应用 | 特点 •NPN开关晶体管 •高电流（最大600毫安） •低电压（最大40 V）。 应用 •开关和线性放大 |