请先登录
首页
购物车0

×

商品参数:

  • 型号:2SK431
  • 厂家:HITACHI
  • 批号:05+
  • 整包数量:3000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:IHE
  • 封装:SOT-23/SC-59/MPAK
  • 技术文档:下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage40v
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage -40v
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current6~12ma
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage -0.13~-1.5v
耗散功率PdPower Dissipation150mW/0.15W
Description & Applications•Silicon N-Channel Junction FET low frequency low noise amplifier
描述与应用•硅N沟道结型场效应管 低频低噪声放大器
规格书PDF 下载

×

在线询价:

* 来自:
寄予:
深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品:
2SK431
*主题:
详细内容:
*验证码: