| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 120V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 120V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 2.5A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 350MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 300~600 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 100mV/0.1V |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 1.3W |
| Description & Applications | Silicon NPN epitaxial planar transistor High-voltage Switching Applications Applications • DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, inverter. Features • Adoption of FBET, MBIT process. • High current capacitance. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • High-speed switching. • High allowable power dissipation. |
| 描述与应用 | NPN硅外延平面晶体管 高电压开关应用 应用 •DC/ DC转换器，继电器驱动器，灯驱动器，电机驱动器，变频器。 特点 •采用FBET，MBIT进程。 •高电流容量。 •低集电极 - 发射极饱和电压。 •高速开关。 •高允许功耗。 |