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商品参数:

  • 型号:SI1302DL
  • 厂家:VISHAY
  • 批号:05+ 05+
  • 整包数量:3000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:KA
  • 封装:SOT-323/SC-70
  • 技术文档:下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current640mA/0.64A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.480Ω/Ohm @600mA,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage1.2V
耗散功率Pd Power Dissipation310mW/0.31W
Description & ApplicationsN-Channel 30-V (D-S) MOSFET
描述与应用N沟道30-V(D-S)的MOSFET
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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SI1302DL
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