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  • 型号:CR05AS-4-C-T1
  • 厂家:MITSUBISHI
  • 批号:05+
  • 整包数量:1000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:CB
  • 封装:SOT-89
  • 技术文档:下载

反向重复峰值电压VRRM/断态重复峰值电压VDRMRepetitive peak reverse voltage/Repetitive peak off-state voltage400V
通态平均电流IT(AV)Average on-state current
通态最大电流IT(RMS)RMS on-state current0.8A
栅极触发电压VGTGate trigger voltage 0.62V
栅极触发电流IGTGate trigger current40μA
保持电流IHHolding current 0.5mA
峰值通态电压VTMOn-state voltage1.7V
重复峰值断态电流IDRMRepetitive peak off-state current 10μA
浪涌电流ITSM(50Hz、60Hz)Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)10A
Description & ApplicationsSensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors Sensitive Gate Allows Triggering by Microcontrollers and Other Logic Circuits Blocking Voltage to 800 V On−State Current Rating of 0.8 Amperes RMS at 80°C High Surge Current Capability — 10 A Glass-Passivated Surface for Reliability and Uniformity
描述与应用敏感栅 可控硅整流器 反向阻断晶闸管 敏感的门允许微控制器和其他逻辑电路的触发 阻断电压为800 V 80℃时,通态电流额定值为0.8A有效值 高浪涌电流能力 - 10 A 玻璃表面钝化的可靠性和一致性
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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CR05AS-4-C-T1
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